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B65811J0250A048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 5277  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8 N48 250 +3%-3%
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B65811J0250A048-圖片

B65811J0250A048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:0.913(23.20mm)
高度:0.324(8.25mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:2430
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:55
有效面積 (Ae) mm2:64
有效長度 (le) mm:38
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.59
初始磁導率 (μi):-
有效磁導率 (μe):134
間隙:有缺口
容差:±3%
電感因數(shù) (Al):250 nH
直徑:-
材料:N48
封裝:RM 8
磁心類型:RM
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:RM8
系列:散裝
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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