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B65811J0000R049

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 5279
說(shuō)明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8N49 2200 +30%-20%

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B65811J0000R049 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長(zhǎng)度：0.913（23.20mm）
高度：0.324（8.25mm）
表面：無(wú)涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：2430
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：55
有效面積 (Ae) mm2：64
有效長(zhǎng)度 (le) mm：38
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.59
初始磁導(dǎo)率 (μi)：1500
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1040
間隙：無(wú)缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：2.2 μH
直徑：-
材料：N49
封裝：RM 8
磁心類型：RM
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：RM8
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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