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B65811D0000R048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 5210
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8N48 2900 +30%-20%

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B65811D0000R048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：0.913（23.20mm）
高度：0.324（8.25mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1825
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：-
有效面積 (Ae) mm2：52
有效長度 (le) mm：35.1
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.68
初始磁導(dǎo)率 (μi)：-
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1550
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：2.9 μH
直徑：-
材料：N48
封裝：RM 8
磁心類型：RM
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：RM8
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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