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B65803N0100A048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 3051  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM4 N48 100 +3% -3%
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B65803N0100A048-圖片

B65803N0100A048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:0.433(11.00mm)
高度:0.207(5.25mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:231
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:11
有效長度 (le) mm:21
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:1.9
初始磁導(dǎo)率 (μi):-
有效磁導(dǎo)率 (μe):152
間隙:有缺口
容差:±3%
電感因數(shù) (Al):100 nH
直徑:-
材料:N48
封裝:RM 4
磁心類型:RM
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:RM4
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65803N0100A048的詳細信息,包括B65803N0100A048廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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