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B65651T0160G048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 1458
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 18X11 N48 160 +2% -2%

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B65651T0160G048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.209（5.30mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1114
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：-
有效面積 (Ae) mm2：43
有效長度 (le) mm：25.9
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.6
初始磁導(dǎo)率 (μi)：-
有效磁導(dǎo)率 (μe)：77
間隙：有缺口
容差：±3%
電感因數(shù) (Al)：160 nH
直徑：0.724（18.40mm）
材料：N48
封裝：P 18 x 11
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P18/11
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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