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B65541D0000R048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 1561  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 14X8 N48 2100 +30%-20%
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B65541D0000R048-圖片

B65541D0000R048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.167(4.25mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:500
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:20
有效面積 (Ae) mm2:25
有效長度 (le) mm:20
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.8
初始磁導率 (μi):-
有效磁導率 (μe):1340
間隙:無缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):2.1 μH
直徑:0.563(14.30mm)
材料:N48
封裝:P 14 x 8
磁心類型:P(罐形磁芯)
產品狀態(tài):在售
包裝:P14/8
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65541D0000R048的詳細信息,包括B65541D0000R048廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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