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B65531D0000R048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 585
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 11X7 N48 1800 +30% -20%

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B65531D0000R048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長(zhǎng)度：-
高度：0.130（3.30mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：253
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：-
有效面積 (Ae) mm2：15.9
有效長(zhǎng)度 (le) mm：15.9
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：1
初始磁導(dǎo)率 (μi)：-
有效磁導(dǎo)率 (μe)：1430
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：1.8 μH
直徑：0.445（11.30mm）
材料：N48
封裝：P 11 x 7
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P11/7
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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