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APTGTQ100DA65T1G

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 2868  
說明:
 IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
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APTGTQ100DA65T1G PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):6 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):100 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,100A
功率 - 最大值:250 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
配置:升壓斬波器
IGBT 類型:-
產品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是APTGTQ100DA65T1G的詳細信息,包括APTGTQ100DA65T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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