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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：400V，32A，4.7 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：17ns/112ns
柵極電荷：158 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：534μJ（開(kāi)），466μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：416 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，32A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：161 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：96 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：PT
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：POWER MOS 8?
系列：管件
品牌：Microchip Technology
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