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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-247-3 變式
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):85 ns
測試條件:800V,35A,5 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:14ns/99ns
柵極電荷:150 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:1mJ(開),1.185mJ(關(guān))
功率 - 最大值:540 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):3.9V @ 15V,35A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):140 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):96 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
IGBT 類型:PT
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:POWER MOS 7?
系列:管件
品牌:Microchip Technology
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