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AIHD03N60RFATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-313
數(shù)量：: 6390
說(shuō)明：: IC DISCRETE 600V TO252-3

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AIHD03N60RFATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：400V，2.5A，68 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：10ns/128ns
柵極電荷：17.1 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：50μJ（開），40μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：53.6 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，2.5A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：7.5 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是AIHD03N60RFATMA1的詳細(xì)信息，包括AIHD03N60RFATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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