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4N35_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: PDIP-6
數(shù)量：: 5328
說明：: 晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS

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4N35_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

輸出類型：DC
輸出設(shè)備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量：1 Channel
最大反向二極管電壓：6 V
最大輸入二極管電流：100 mA
包裝形式：Bulk
封裝形式：PDIP-6
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大正向二極管電壓：1.5 V
絕緣電壓：5300 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：0.3 V
最大集電極/發(fā)射極電壓：30 V
輸入類型：DC
RoHS：否
產(chǎn)品種類：晶體管輸出光電耦合器
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是4N35_Q的詳細信息，包括4N35_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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