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2SK879-Y(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 USM
數(shù)量:
 29733  
說明:
 JFET N-CH 0.1W USM
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2SK879-Y(TE85L,F)-USM圖片

2SK879-Y(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:USM
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:125°C(TJ)
功率 - 最大值:100 mW
電阻 - RDS(On):-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off):400 mV @ 100 nA
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss):1.2 mA @ 10 V
漏源電壓(Vdss):-
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是2SK879-Y(TE85L,F)的詳細(xì)信息,包括2SK879-Y(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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