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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 2.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 630pF @ 10V
功率 - 最大20W
安裝類型表面貼裝

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