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2SC5949-R(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：
數(shù)量：: 2421
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A

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2SC5949-R(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
包裝形式：Bulk
最大功率耗散：220000 mW
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：55 at 1 A at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：30 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：15 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：200 V
集電極—基極電壓 VCBO：200 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SC5949-R(Q)的詳細(xì)信息，包括2SC5949-R(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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