中文參數(shù)如下： 工廠包裝數(shù)量：2000 最大功率耗散：900 mW 直流電流增益 hFE 最大值：160 at 500 mA at 2 V 封裝形式：TO-92 安裝風(fēng)格：Through Hole 最大工作溫度：+ 150 C 直流集電極/Base Gain hfe Min：160 at 500mA at 2V 增益帶寬產(chǎn)品fT：120 MHz 最大直流電集電極電流：1.5 A 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V 集電極—基極電壓 VCBO：30 V 晶體管極性：NPN 配置：Single RoHS：是 產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT 制造商：Toshiba
