點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 20mA，8V
功率 - 最大值：200mW
增益：12dB
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：1.5dB @ 1GHz
頻率 - 躍遷：8.5GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：CEL

以上是2SA1977-T1B-A的詳細(xì)信息，包括2SA1977-T1B-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

NSVEMD4DXV6T1G

EMF5XV6T1G

NSVBC123JDXV6T5G

NSVBC143JPDXV6T5G

PUMD3-QZ

PUMH9-QH

PUMH9-QX

PUMH9-QZ

PUMD9-QX

UMG2N-TP