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2SA1930(Q,M)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220NIS
數量:
 7353  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP 180V 2A Transistor
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2SA1930(Q,M)-TO-220NIS圖片

2SA1930(Q,M) PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-220-3 整包
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:200MHz
功率 - 最大值:2 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V
電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 100mA,1A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):180 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2 A
晶體管類型:PNP
產品狀態(tài):停產
包裝:-
系列:散裝
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是2SA1930(Q,M)的詳細信息,包括2SA1930(Q,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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