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2SA1163GRT5LFT

廠家:
  Toshiba
封裝:
 S-Mini
數(shù)量:
 6273  
說明:
 兩極晶體管 - BJT x34 Small Signal Transistor
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2SA1163GRT5LFT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:150 mW
直流電流增益 hFE 最大值:270 at 2 mA at 6 V
封裝形式:S-Mini
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:350 at 2 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:120 V
集電極—基極電壓 VCBO:120 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1163GRT5LFT的詳細信息,包括2SA1163GRT5LFT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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