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2N930B

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 TO-18
數(shù)量:
 2038  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS
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2N930B-TO-18圖片

2N930B PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

包裝形式:Box
直流電流增益 hFE 最大值:300
封裝形式:TO-18
安裝風(fēng)格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:100
增益帶寬產(chǎn)品fT:45 MHz
集電極—射極飽和電壓:45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

以上是2N930B的詳細(xì)信息,包括2N930B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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