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2N5115E3

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 6837
說明：: JFET P-CH 30V TO18

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2N5115E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：TO-18（TO-206AA）
封裝/外殼：TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
安裝類型：通孔
工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）
功率 - 最大值：500 mW
電阻 - RDS(On)：100 Ohms
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss)：15 mA @ 15 V
漏源電壓（Vdss）：30 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：30 V
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是2N5115E3的詳細信息，包括2N5115E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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