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2N3799

廠家：: Central Semiconductor
封裝：
數(shù)量：: 6837
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT Low Noise Ampl

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2N3799 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：360 mW
封裝形式：TO-18
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
增益帶寬產(chǎn)品fT：80 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過(guò)渡期間
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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