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2DB1132P-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-89-3
數(shù)量：: 1512
說明：: 兩極晶體管 - BJT 1000W -32Vceo

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2DB1132P-13 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-243AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：190MHz
功率 - 最大值：1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：82 @ 100mA，3V
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：32 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Diodes Incorporated

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