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1N914B A0G

廠家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封裝：: DO-35
數(shù)量：: 2034
說明：: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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1N914B A0G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：DO-35
封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 75 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：4 ns
速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：720 mV @ 5 mA
電流 - 平均整流 (Io)：150mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：帶盒（TB）
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

以上是1N914B A0G的詳細(xì)信息，包括1N914B A0G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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