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1N6622US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3453
說明：: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

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1N6622US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：A-MELF
封裝/外殼：SQ-MELF，A
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：10pF @ 10V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：500 nA @ 660 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：30 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.4 V @ 1.2 A
電流 - 平均整流 (Io)：1.2A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：660 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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