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1N5553US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3246
說明：: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF

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1N5553US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：B，SQ-MELF
封裝/外殼：SQ-MELF，B
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1 μA @ 800 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：2 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 9 A
電流 - 平均整流 (Io)：3A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：800 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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