| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NESG2021M05-A |
CEL
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SOT-343 |
309 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2021M05-EVNF58 |
CEL
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SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG2021M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2021M05-T1-A |
CEL
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M05 |
134 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M05，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+... |
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NESG2021M16 |
CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M16-A |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，工廠包裝數(shù)量：50，... |
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NESG2021M16-A |
CEL
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SOT-343 |
296 |
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2021M16-T3-A |
CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
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NESG2030M04 |
CEL
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SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：80 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-343，... |
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NESG2030M04-A |
CEL
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M04 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：80 mW，安裝風格：... |
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NESG2030M04-EVNF16 |
CEL
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射頻硅鍺晶體管 For NESG2030M04 1.6G |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，包裝形式：Box，... |
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NESG2030M04-T2-A |
CEL
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M04 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：80 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-343，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)... |
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NESG2030M16 |
CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，工廠包裝數(shù)量：500，... |
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NESG2030M16-A |
NEC/CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，... |
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NESG2030M16-T3-A |
NEC/CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
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NESG2031M05 |
NEC/CEL
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M05 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M05，... |
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NESG2031M05-A |
CEL
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SOT-343 |
250 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2031M05-EVNF58 |
CEL
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SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 For NESF2031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2031M05-T1-A |
CEL
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SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-343，包裝形式：Reel，最大工作... |
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NESG2031M16 |
CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2031M16-A |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，工廠包裝數(shù)量：50，... |
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NESG2031M16-A |
CEL
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SOT-343 |
143 |
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2031M16-T3-A |
CEL
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M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
