| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NE552R479A-T1-A |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band Med Power |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，頻率：2.45 GHz，增益：11 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：0.4 S，閘/源擊... |
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NE52418-A |
CEL
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SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 NPN L-S Lo Noise Amp |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HBT，頻率：2 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，漏源電壓 VDS：5 V，... |
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NE52418-T1-A |
CEL
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SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 L to S Band LW Noise AMP NPN GaAs HBT |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HBT，頻率：2 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，漏源電壓 VDS：5 V，... |
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NE450184C-T1-A |
CEL
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S0-1 |
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射頻GaAs晶體管 Ult LW Noise HJ FET 1.0dB NF |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：24 GHz，增益：10 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大... |
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NE4503S01-A |
CEL
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，包裝形式：Bulk，... |
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NE4503S01-T1-A |
CEL
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tape，... |
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NE6500379A |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊... |
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NE6500379A-EVPW26 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6500379A 2.6G |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊穿電壓：- 7 V，漏極連續(xù)電... |
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NE6500379A-T1 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊... |
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NE6500496 |
CEL
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Outline96 |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：11.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... |
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NE650103M |
NEC/CEL
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3M |
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射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：11 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊穿電壓：- 18 V，漏極連續(xù)... |
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NE650103M-A |
CEL
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3M |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 參數(shù)：CEL|托盤|-|停產(chǎn)|MOSFET|-|2.3GHz|11dB|10 V|5A|-|1.5 A|40dBm|15 V|-|SOT-445 變式|3M... |
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NE6501077 |
CEL
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Outline77 |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：10.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... |
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NE6510179A |
NEC/CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓：- 4 V，漏極連續(xù)電流：2... |
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NE6510179A-A |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SMD，扁平... |
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NE6510179A-EVPW19 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-EVPW24 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-EVPW26 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-EVPW35 |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-T1-A |
CEL
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79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SM... |
