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圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看IXGT24N170參考圖片 IXGT24N170 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:3.3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20...
點擊查看IXGT24N170A參考圖片 IXGT24N170A Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 24 Amps 1200 V 5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V...
點擊查看IXGT24N170AH1參考圖片 IXGT24N170AH1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 48 Amps 170V 6.0 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,集電極—射極飽和電壓:6 V,封裝形式:TO-268-3,包裝形式:Tube,安裝風格:SMD/SMT,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGT24N60B參考圖片 IXGT24N60B Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGT24N60C參考圖片 IXGT24N60C Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT24N60CD1參考圖片 IXGT24N60CD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT25N160參考圖片 IXGT25N160 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/...
IXGT25N250 Ixys IGBT 晶體管
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGT28N120B參考圖片 IXGT28N120B Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20...
點擊查看IXGT28N120BD1參考圖片 IXGT28N120BD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGT28N60B參考圖片 IXGT28N60B Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT28N60BD1參考圖片 IXGT28N60BD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT30N120B3D1參考圖片 IXGT30N120B3D1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 60 Amps 1200V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.5 V,最大工作溫度:+ 150 C,封裝形式:TO-...
點擊查看IXGT30N120BD1參考圖片 IXGT30N120BD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGT30N60B參考圖片 IXGT30N60B Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT30N60B2參考圖片 IXGT30N60B2 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.8 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGT30N60B2D1參考圖片 IXGT30N60B2D1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.8 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGT30N60C2參考圖片 IXGT30N60C2 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGT30N60C2D1參考圖片 IXGT30N60C2D1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGT31N60D1參考圖片 IXGT31N60D1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...

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