| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXGR60N60C3C1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGR60N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 60 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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IXGR60N60U1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGR72N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGR80N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 85 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXGT10N170 | Ixys | TO-268AA | 76 | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：4 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT10N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：6 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT12N120A2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXGT15N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.2 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT15N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT15N120CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT16N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：3.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT16N170A | Ixys | TO-268AA | 660 | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT16N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—射極飽和電壓：5 V，封裝形式：TO-268-3，包裝形式：Box，安裝風格：SMD/SMT，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXGT20N 60B | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N 60BD1 | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N100 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，集電極—射極飽和電壓：3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- ... | ||||||
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IXGT20N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT20N120B | Ixys | TO-268-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.4 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT20N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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