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圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看IXGQ20N120BD1參考圖片 IXGQ20N120BD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGQ240N30PB參考圖片 IXGQ240N30PB Ixys TO-3P IGBT 晶體管 POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGQ28N120B參考圖片 IXGQ28N120B Ixys TO-3P IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGQ28N120BD1參考圖片 IXGQ28N120BD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGQ30N60C2D4參考圖片 IXGQ30N60C2D4 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 G-series A2,B2,C2
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGQ35N120BD1參考圖片 IXGQ35N120BD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 35 Amps 1200 V 3.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGQ50N60B4D1參考圖片 IXGQ50N60B4D1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 PT Trench IGBTs Power Device
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看IXGQ85N33PCD1參考圖片 IXGQ85N33PCD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 340 Amps 330V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 30 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGQ90N27PB參考圖片 IXGQ90N27PB Ixys TO-3P IGBT 晶體管 340 Amps 270V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:270 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 30 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGQ90N33TC參考圖片 IXGQ90N33TC Ixys TO-3P IGBT 晶體管 TRENCH IGBTS 330V 360A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGQ90N33TCD1參考圖片 IXGQ90N33TCD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 G-series A,B,C
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,集電極—射極飽和電壓:1.8 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGQ96N30TBD1參考圖片 IXGQ96N30TBD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGQ96N30TCD1參考圖片 IXGQ96N30TCD1 Ixys TO-3P IGBT 晶體管 TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGR120N60B參考圖片 IXGR120N60B Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 76 Amps 600V 2.1 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.1 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGR120N60C2參考圖片 IXGR120N60C2 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.7 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.7 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點擊查看IXGR12N60C參考圖片 IXGR12N60C Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 15 Amps 600V 2.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGR16N170AH1參考圖片 IXGR16N170AH1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 8 Amps 1700V 5.2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- ...
點擊查看IXGR24N120C3D1參考圖片 IXGR24N120C3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 48 Amps 1200V 2.75 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGR24N120C3H1參考圖片 IXGR24N120C3H1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 48 Amps 1200V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...
點擊查看IXGR24N60B參考圖片 IXGR24N60B Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 45 Amps 600 V 2.3 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,...

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