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圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IXGK400N30A3參考圖片 IXGK400N30A3 Ixys TO-264(IXGK) 25 IGBT 晶體管 400 Amps 300V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
點(diǎn)擊查看IXGK400N30B3參考圖片 IXGK400N30B3 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 400 Amps 300V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
點(diǎn)擊查看IXGK400N30C3參考圖片 IXGK400N30C3 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 400 Amps 300V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60A2U1參考圖片 IXGK50N60A2U1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.6 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60AU1參考圖片 IXGK50N60AU1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 50 Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60B參考圖片 IXGK50N60B Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60B2D1參考圖片 IXGK50N60B2D1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.3 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60BD1參考圖片 IXGK50N60BD1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60BU1參考圖片 IXGK50N60BU1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGK50N60C2D1參考圖片 IXGK50N60C2D1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看IXGK50N90B2D1參考圖片 IXGK50N90B2D1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 50 Amps 600V 3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:900 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGK60N60參考圖片 IXGK60N60 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.7 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 ...
點(diǎn)擊查看IXGK60N60B2D1參考圖片 IXGK60N60B2D1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:1.8 V,...
點(diǎn)擊查看IXGK60N60C2D1參考圖片 IXGK60N60C2D1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看IXGK72N60A3H1參考圖片 IXGK72N60A3H1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,...
點(diǎn)擊查看IXGK72N60C3H1參考圖片 IXGK72N60C3H1 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 75Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,...
點(diǎn)擊查看IXGK75N250參考圖片 IXGK75N250 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:2500 V,集電極—射極飽和電壓:2.7 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:30...
點(diǎn)擊查看IXGK82N120A3參考圖片 IXGK82N120A3 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBTs
參數(shù):制造商:IXYS,包裝形式:Tube,...
點(diǎn)擊查看IXGK82N120B3參考圖片 IXGK82N120B3 Ixys TO-264(IXGK) IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBTs
參數(shù):制造商:IXYS,包裝形式:Tube,...
IXGL200N60B3 Ixys ISOPLUS264? IGBT 晶體管 150Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...

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