| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXSK80N60B | Ixys | TO-264AA（IXSK） | IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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IXSM40N60A | Ixys | TO-204AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXSN35N100U1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 35 Amps 1000V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... | ||||||
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IXSN35N120AU1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... | ||||||
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IXSN50N60BD2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSN50N60BD3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSN52N60AU1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 80 Amps 600V 3.0 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSN55N120A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 80 Amps 1200V 4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... | ||||||
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IXSN55N120AU1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 110 Amps 1200V 4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... | ||||||
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IXSN62N60U1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 90 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSN80N60AU1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 80 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSN80N60BD1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 160 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXSP10N60B2D1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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IXSP15N120B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXSP20N60B2D1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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IXSP24N60B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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IXSQ10N60B2D1 | Ixys | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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IXSQ20N60B2D1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA，功率耗... | ||||||
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IXSR35N120BD1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.6 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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IXSR40N60BD1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 70 Amps 600V 2.2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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