| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2... | ||||||
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STGB6NC60HD-1 | STMicroelectronics | I2PAK | IGBT 晶體管 N Ch 6A 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 PowerMESH TM IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB6NC60HT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 174 | IGBT 晶體管 PowerMESH TM IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NB40LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 14 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NB60FDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 v，集電極... | ||||||
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STGB7NB60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NB60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NB60MDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB7NC60HT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,818 | IGBT 晶體管 N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGBL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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STGBL6NC60DT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 917 | IGBT 晶體管 600V 6A N-Channel | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGD10NC60HDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶體管 600 Volt 10 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶體管 N Ch 10A 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶體管 N Ch 600V 10A | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶體管 IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGD10NC60SDT4 | STMicroelectronics | DPAK | 1,964 | IGBT 晶體管 10 A-600 V fast IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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