| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NESG260234-AZ |
CEL |
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174 |
射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：600 mA，功率耗散：1.9 W，安裝風(fēng)格... |
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NESG260234-EV09 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，包裝形式：Box，... |
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NESG260234-EVPW04 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，... |
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NESG260234-EVPW04-A |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Power Transistor Eval Board |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，... |
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NESG260234-T1-AZ |
CEL |
3-PowerMiniMold |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：600 mA，功率耗散：1.9 W，安裝風(fēng)格... |
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NESG270034-AZ |
CEL |
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245 |
射頻硅鍺晶體管 NPN Medium Output |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：750 mA，功率耗散：1.9 W，安裝風(fēng)格... |
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NESG270034-EV09-AZ |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG270034-AZ |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：750 mA，功率耗散：1.9 W，安裝風(fēng)格... |
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NESG270034-T1-AZ |
CEL |
3-PowerMiniMold |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Med Pwr Transistor |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，封裝形式：Power Mini-Mold，包裝形式：Tape，最大工作溫度：+ 150 C，最小工作溫度... |
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NESG303100G |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 2.4GHz to 5.8GHz OSC GERMANIUM HBT |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Bulk，... |
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NESG3031M05 |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG3031M05-A |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M05，工廠包裝數(shù)量：50，... |
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NESG3031M05-A |
CEL |
SOT-343 |
114 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風(fēng)格... |
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NESG3031M05-EVNF16 |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 1.6 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF24 |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 2.4 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF58 |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M05，... |
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NESG3031M05-EVNF58-A |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，... |
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NESG3031M05-T1-A |
CEL |
M05 |
405 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：150 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M05，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3... |
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NESG3031M14-A |
CEL |
SOT-343 |
54 |
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風(fēng)格... |
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NESG3031M14-T3-A |
CEL |
M14 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：150 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：M14，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
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NESG3032M14-A |
CEL |
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25 |
射頻硅鍺晶體管 NPN Germanium Amp & Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：150 mW，安裝風(fēng)格... |
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NESG3032M14-EVNF24 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 Silicon Germanium Amp and Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，包裝形式：Box，... |
