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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SI4862DY-T1-E3參考圖片 SI4862DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:16 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4862DY-T1-GE3參考圖片 SI4862DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 16V 25A 3.5W 3.3mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:16 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4864DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 25A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻汲...
SI4864DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 25A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻汲...
SI4864DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 25A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4864DY-T1-E3參考圖片 SI4864DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20 Volt 25 Amp 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4864DY-T1-GE3參考圖片 SI4864DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC 1,675 MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4866BDY-T1-E3參考圖片 SI4866BDY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 12V 21.5A 4.45W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4866BDY-T1-GE3參考圖片 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 12V 21.5A 4.45W 5.3mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4866DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET N-Ch 12 Volt 11 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SI4866DY-T1參考圖片 SI4866DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow 780 MOSFET 12V 17A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4866DY-T1-E3參考圖片 SI4866DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 7,158 MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI4866DY-T1-GE3參考圖片 SI4866DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4872DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4872DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻...
SI4872DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:15 A,電阻...
SI4872DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SO-8 11 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4874BDY-T1-E3參考圖片 SI4874BDY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 10,837 MOSFET 30V 16A 0.007Ohm
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4874BDY-T1-GE3參考圖片 SI4874BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 16A 3.0W 7.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4874DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...

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