Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6926AEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極... | ||||||
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SI6926DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：+/- 4 A，... | ||||||
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SI6926EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 4A 1W | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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SI6928DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6928DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6928DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6933DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.5A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6933DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 3.5A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6933DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 3.5A 1.0W 45mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6943BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 2.5A 0.80W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6943BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6943BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 2.5A 1.1W 80mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6943DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 2.5A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：+/- 2.... | ||||||
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SI6946DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 2.8A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：2.8 A... | ||||||
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SI6953DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.9 A，電... | ||||||
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SI6954ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.4A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 12,000 | MOSFET 30V 3.4A 1W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 53mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6954DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6954DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9A 1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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