| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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IRFZ44STRLPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
785 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ44STRR |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ44STRRPBF |
Vishay/Siliconix |
D2PAK（TO-263） |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ46 |
Vishay/Siliconix |
TO-220AB |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48PBF |
Vishay/Siliconix |
TO-220AB |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48R |
Vishay/Siliconix |
TO-220-3 |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48RPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-220-3 |
984 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48RS |
Vishay/Siliconix |
D2PAK |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48RSPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
8,972 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48S |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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IRFZ48STRL |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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TP0101K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.58A 0.65Ohm |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... |
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TP0101K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23 |
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MOSFET 20V 0.58A 0.35W 650mohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：0.58 A，電阻汲極/... |
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TP0101T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.6A 0.35W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：0.6 A，電阻... |
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TP0101TS |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 1A 0.35W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻汲極... |
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TP0202K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 30V 0.385A 1.4Ohm |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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TP0202K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 30V 0.385A 350mW 3.5ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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TP0202T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.41A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.41 A，... |
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TP0205AD-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-363 |
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MOSFET 20V 0.10A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... |
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TP0205A-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-323 |
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MOSFET RO 781-SI1303DL-E3 |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：- 180 ... |
