Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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VN2406D | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 240V 1.12A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.12 A... | ||||||
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VN2406L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A... | ||||||
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VN2410L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A... | ||||||
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VN2410LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 240V 0.19A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.19 A... | ||||||
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VN0605T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 0.18A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A，... | ||||||
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VN0606L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.33A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.39 A，... | ||||||
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VN0610L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：- 0.3 V, 15 V，漏極連續(xù)電流：0.... | ||||||
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VN0610LL | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.28A 0.32W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.28 A，... | ||||||
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VN0300L | Vishay/Siliconix | TO-92（TO-226） | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.64 A，... | ||||||
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VN0300LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 30V 0.67A 0.9W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.67 A，... | ||||||
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VN0808L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 80V 0.3A 0.8W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.3 A，電... | ||||||
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VN0808LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 80V 0.3A 0.9W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.33 A，... | ||||||
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VN10KC-T1 | Vishay/Siliconix | SC-59 | MOSFET 60V 0.31A 0.6W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+ 15 V, - 0.3 V，漏極連續(xù)電流：... | ||||||
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VN10KE | Vishay/Siliconix | TO-206AC-3 | MOSFET 60V 5 OHM | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：- 0.3 V, 15 V，漏極連續(xù)電流：0.... | ||||||
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VN10KLS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 60V 0.31A 0.9W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：- 0.3 V, 15 V，漏極連續(xù)電流：0.... | ||||||
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VN10LE | Vishay/Siliconix | TO-52 | MOSFET 60V 5 OHM | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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VN10LE-E3 | Vishay/Siliconix | TO-206AC-3 | MOSFET 60V 5 Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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VN10LLS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 60V 0.32A 0.9W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.32 A，... | ||||||
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VN66AFD | Vishay/Siliconix | TO-220SD-3 | MOSFET 60V 1.46A 15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.39 A，... | ||||||
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VN88AFD | Vishay/Siliconix | TO-220SD | MOSFET 80V 1.29A 15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：1.29 A，... | ||||||
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