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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IRFD9110參考圖片 IRFD9110 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFD9113參考圖片 IRFD9113 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 60 V,漏極連續(xù)電流:- 0.6 A,電阻...
點(diǎn)擊查看IRFD9120參考圖片 IRFD9120 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFD9123參考圖片 IRFD9123 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:2500,...
點(diǎn)擊查看IRFD9123PBF參考圖片 IRFD9123PBF Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET 60 Volt 1.0 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點(diǎn)擊查看IRFD9210參考圖片 IRFD9210 Vishay/Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFD9220參考圖片 IRFD9220 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET P-Chan 200V 0.56 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFDC20參考圖片 IRFDC20 Vishay/Siliconix 4-HVMDIP MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI510G參考圖片 IRFI510G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI510GPBF參考圖片 IRFI510GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 1,992 MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI520G參考圖片 IRFI520G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI520GPBF參考圖片 IRFI520GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 1,085 MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI530G參考圖片 IRFI530G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI530GPBF參考圖片 IRFI530GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI540G參考圖片 IRFI540G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 17 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI540GPBF參考圖片 IRFI540GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 8,815 MOSFET N-Chan 100V 17 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI614G參考圖片 IRFI614G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI614GPBF參考圖片 IRFI614GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI620G參考圖片 IRFI620G Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRFI620GPBF參考圖片 IRFI620GPBF Vishay/Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 896 MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...

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