Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXTA42N25P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：42 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA44N15T | Ixys | MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds | |||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA44N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA44N30T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA44P15T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 1,031 | MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 15 V，漏極連續(xù)電流：- 44 A... | ||||||
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IXTA48N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：48 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA4N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：4 A，電阻汲極... | ||||||
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IXTA4N80P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：3.5 A，電阻... | ||||||
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IXTA50N20P | Ixys | TO-263AA | 300 | MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA50N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA52P10P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 3,200 | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：52 A，電... | ||||||
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IXTA54N30T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA56N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA5N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：4.8 A，電阻... | ||||||
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IXTA5N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：5 A，電阻汲極... | ||||||
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IXTA60N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 15 | MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：60 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.01... | ||||||
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IXTA60N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 60 Amps 200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA62N15P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 10 | MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：62 A，電阻汲... | ||||||
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IXTA62N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTA6N100D2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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