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Ixys

Ixys

IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IXFT28N50Q參考圖片 IXFT28N50Q Ixys TO-268AA MOSFET 28 Amps 500V 0.20W Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:28 A,電阻汲...
IXFT30N40Q Ixys TO-268 MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:400 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT30N50參考圖片 IXFT30N50 Ixys TO-268AA MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT30N50P參考圖片 IXFT30N50P Ixys TO-268AA MOSFET 500V 30A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT30N50Q參考圖片 IXFT30N50Q Ixys TO-268AA MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT30N50Q3參考圖片 IXFT30N50Q3 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲極/源極...
點(diǎn)擊查看IXFT30N60P參考圖片 IXFT30N60P Ixys TO-268AA MOSFET 600V 30A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT30N60Q參考圖片 IXFT30N60Q Ixys TO-268AA MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT32N50參考圖片 IXFT32N50 Ixys TO-268AA MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:32 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT32N50Q參考圖片 IXFT32N50Q Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET 500V 32A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT340N075T2參考圖片 IXFT340N075T2 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點(diǎn)擊查看IXFT36N50P參考圖片 IXFT36N50P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET 500V 36A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT36N60P參考圖片 IXFT36N60P Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET 600V 36A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT40N30Q參考圖片 IXFT40N30Q Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA MOSFET 300V 40A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:300 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT40N50Q參考圖片 IXFT40N50Q Ixys TO-268AA MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:40 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT42N50P2參考圖片 IXFT42N50P2 Ixys TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 100 MOSFET PolarP2 Power MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:42 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT44N50P參考圖片 IXFT44N50P Ixys TO-268AA MOSFET 500V 44A
參數(shù):制造商:IXYS,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看IXFT44N50Q3參考圖片 IXFT44N50Q3 Ixys TO-268AA MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:44 A,電阻汲極/源極...
點(diǎn)擊查看IXFT4N100Q參考圖片 IXFT4N100Q Ixys TO-268AA MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:4 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看IXFT50N20參考圖片 IXFT50N20 Ixys TO-268AA MOSFET 50 Amps 200V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:50 A,電阻汲...

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