Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXFA130N10T | Ixys | TO-263AA（IXFA） | MOSFET 130 Amps 100V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXFA14N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 50 | MOSFET 600V 14A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFA16N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 500V 16A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFA3N120 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3 A，電阻汲... | ||||||
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IXFA3N80 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.6 A，電阻... | ||||||
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IXFA4N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 60 | MOSFET 4 Amps 1000V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXFA4N100Q | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4 A，電阻汲... | ||||||
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IXFA6N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXFA7N100P | Ixys | TO-263AA（IXFA） | MOSFET 7 Amps 1000V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXFA7N80P | Ixys | TO-263AA（IXFA） | MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：7 A，電阻汲極... | ||||||
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IXFB100N50P | Ixys | PLUS264? | MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻... | ||||||
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IXFB100N50Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 15 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXFB110N60P3 | Ixys | PLUS264? | MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：110 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXFB120N50P2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET PolarP2 Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻... | ||||||
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IXFB132N50P3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 50 | MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：132 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXFB170N30P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：25，... | ||||||
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IXFB210N20P | Ixys | PLUS264? | 25 | MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：210 A，電阻... | ||||||
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IXFB300N10P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 3 | MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：25，... | ||||||
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IXFB30N120P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻... | ||||||
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IXFB30N120Q2 | Ixys | ISOPLUS264? | MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：25，... | ||||||
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