Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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VMM45-02F | Ixys | TO-240AA | MOSFET 45 Amps 200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：45 A，電阻汲... | ||||||
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VMM650-01F | Ixys | Y3-Li | MOSFET 650 Amps 100V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：680 A，電阻... | ||||||
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VMM85-02F | Ixys | Y4-M6 | MOSFET 85 Amps 200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：84 A，電阻汲... | ||||||
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VMO550-01F | Ixys | Y3-DCB | 6 | MOSFET 550 Amps 100V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：590 A，電阻... | ||||||
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VMO580-02F | Ixys | Y3-Li | 36 | MOSFET HiperFET 200V 580A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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VMO60-05F | Ixys | TO-240AA | MOSFET 60 Amps 500V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：60 A，電阻汲... | ||||||
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VMO650-01F | Ixys | Y3-DCB | 2 | MOSFET 650 Amps 100V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：690 A，電阻... | ||||||
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VUM25-05E | Ixys | V1A-PAK | 22 | MOSFET 25 Amps 500V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：35 A，電阻汲... | ||||||
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IXTP1R4N60P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：1.4 A，電阻... | ||||||
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IXTP1R6N100D2 | Ixys | TO-220-3 | 80 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXTP1R6N50D2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：1.6 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXTP1R6N50P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：1.6 A，電阻... | ||||||
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IXTP200N055T2 | Ixys | TO-220-3 | 123 | MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲... | ||||||
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IXTP200N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTP200N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id200 BVdass85 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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IXTP220N04T2 | Ixys | TO-220-3 | 20 | MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：220 A，電阻汲... | ||||||
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IXTP220N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：220 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTP220N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id220 BVdass75 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：220 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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IXTP230N075T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 230 Amps 75V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXTP240N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：240 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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