Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGP50N33TBM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 50 Amps 330V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,... | ||||||
|
IXGP70N33TBM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,封裝形式:TO-220-3,包裝形式:Tube,安裝風(fēng)格:Through Hole... | ||||||
|
IXGP7N60B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2... | ||||||
|
IXGP7N60BD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
|
IXGP7N60C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
|
IXGP7N60CD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
|
IXGP8N100 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- ... | ||||||
|
IXGP90N33TCM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,... | ||||||
|
IXGQ120N30TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 120 Amps 300V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,... | ||||||
|
IXGQ150N30TC | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 150 Amps 300V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ150N30TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 150 Amps 300V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ170N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 360 Amps 300V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ180N33TC | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ180N33TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ200N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ20N120B | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 20 Amps 1200V | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.4 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... | ||||||
|
IXGQ20N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
|
IXGQ240N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:30,... | ||||||
|
IXGQ28N120B | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
|
IXGQ28N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶體管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
22/58 首頁 上頁 [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下頁 尾頁