Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXGN100N120 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 G-series | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGN100N160A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 100 Amps 1600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGN100N170 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGN120N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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IXGN120N60A3D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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IXGN200N60 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 200 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN200N60A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 200Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGN200N60A2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 100 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.35 V，... | ||||||
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IXGN200N60B | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 200 Amps 600V 2.1 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.1 V，柵... | ||||||
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IXGN200N60B3 | Ixys | SOT-227B | 3 | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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IXGN320N60A3 | Ixys | SOT-227B | 365 | IGBT 晶體管 320 Amps 600V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN400N30A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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IXGN400N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 400 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.25 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGN40N60CD1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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IXGN50N60B | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN50N60BD2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGN50N60BD3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGN60N60 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—... | ||||||
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IXGN60N60C2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵... | ||||||
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IXGN60N60C2D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵... | ||||||
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