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Ixys

Ixys

IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看IXGA15N100C參考圖片 IXGA15N100C Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點(diǎn)擊查看IXGA15N120B參考圖片 IXGA15N120B Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.2 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/...
點(diǎn)擊查看IXGA16N60B2參考圖片 IXGA16N60B2 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看IXGA16N60B2D1參考圖片 IXGA16N60B2D1 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看IXGA16N60C2參考圖片 IXGA16N60C2 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...
點(diǎn)擊查看IXGA16N60C2D1參考圖片 IXGA16N60C2D1 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...
點(diǎn)擊查看IXGA20N100參考圖片 IXGA20N100 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V...
點(diǎn)擊查看IXGA20N120參考圖片 IXGA20N120 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V...
點(diǎn)擊查看IXGA20N120A3參考圖片 IXGA20N120A3 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點(diǎn)擊查看IXGA20N120B參考圖片 IXGA20N120B Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA20N60B參考圖片 IXGA20N60B Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGA24N60C參考圖片 IXGA24N60C Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA30N120B3參考圖片 IXGA30N120B3 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA30N60C3C1參考圖片 IXGA30N60C3C1 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA42N30C3參考圖片 IXGA42N30C3 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 42 Amps 300V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點(diǎn)擊查看IXGA48N60A3參考圖片 IXGA48N60A3 Ixys TO-263AA 188 IGBT 晶體管 48 Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA48N60B3參考圖片 IXGA48N60B3 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 48 Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,...
點(diǎn)擊查看IXGA48N60C3參考圖片 IXGA48N60C3 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 48 Amps 600V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點(diǎn)擊查看IXGA4N100參考圖片 IXGA4N100 Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 8 Amps 1000V 2.7 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點(diǎn)擊查看IXGA7N60B參考圖片 IXGA7N60B Ixys TO-263AA IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 2...

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