Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXGH20N120A3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGH20N120B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 20 Amps 1200V 3.40 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C... | ||||||
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IXGH20N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 20 Amps 1200V 3.40 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXBH28N170A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 30Amps 1700V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：6 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- ... | ||||||
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IXBH40N160 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 1600V 33A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，... | ||||||
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IXBH42N170 | Ixys | TO-247AD | 2,070 | IGBT 晶體管 1700V 75A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，... | ||||||
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IXBH42N170A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：6 V，柵... | ||||||
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IXBH5N160G | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 5 Amps 1600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，集電極—射極飽和電壓：4.9 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXBH6N170 | Ixys | TO-247AD | 55 | IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXBH9N160G | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 9 Amps 1600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，集電極—射極飽和電壓：4.9 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXG611S1T/R | Ixys | 8-SOIC | IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：2500，... | ||||||
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IXGA120N30TC | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 120 Amps 300V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXGA12N100 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 24Amps 1000V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGA12N120A2 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGA12N120A3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 1200V, 12A IGBT; G Series | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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IXGA12N60B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGA12N60BD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 G-series A,B,C | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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IXGA12N60C | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGA12N60CD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGA150N30TC | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶體管 150 Amps 300V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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