IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.

型號	品牌	封裝	數(shù)量	描述
935131724547-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935132423510-T1N	IPDiA	0201	200	硅電容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
935132423510-T3N	IPDiA	0201		硅電容器 HighTempSiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424310-T1N	IPDiA	0402	70	硅電容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424310-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424347-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424347-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424410-T3N	IPDiA	0402	989	硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424510-T3N	IPDiA	0402	963	硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424522-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424522-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424533-T3N	IPDiA	0402	987	硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
935132424547-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424547-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 47nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
935132424610-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424610-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封...
935132425610-T3N	IPDiA	1206	1803	硅電容器 HighTempSiliconCap 1206 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封...
935132426610-T1N	IPDiA	0805	100	硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132426610-T3N	IPDiA	0805		硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132427710-T1N	IPDiA	1206	165	硅電容器 HighTempSiliconCap 1uF 1206 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...

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