IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.

型號	品牌	封裝	數(shù)量	描述
935131424347-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424410-T3N	IPDiA	0402	976	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424510-T3N	IPDiA	0402	1869	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424522-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424522-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424533-T3N	IPDiA	0402	989	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131424547-T1N	IPDiA	0402	98	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424547-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424610-T3A	IPDiA	0402		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0402 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424610-T3N	IPDiA	0402	1850	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
935131425610-T1N	IPDiA	0603		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131425610-T3N	IPDiA	1206	995	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 1206 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
935131426610-T1N	IPDiA	0805		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131426610-T3N	IPDiA	0805	30	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131427710-T3N	IPDiA	1206	1927	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 1206 1uF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C，封...
935131429733-T1N	IPDiA	1812	100	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131429733-T3N	IPDiA	1812		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131723510-T1N	IPDiA	0201	100	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131723510-T3N	IPDiA	0201		硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131724547-T1N	IPDiA	0402	80	硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...

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